AOB418L

Parámetro del producto

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serie

SDMOS™

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±12V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.7mOhm @ 20A, 10V

Disipotencia (Max)

2.1W (Ta), 333W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-263 (D²Pak)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

100V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 50V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

9.5A (Ta), 105A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

4.5V, 10V