AOD9N50

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±30V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-50°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

860mOhm @ 4.5A, 10V

Disipotencia (Max)

178W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-252, (D-Pak)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

500V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1160pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V