AON1605_001

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

P-Channel

embalaje

Bulk

Vgs (Max)

±8V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

3-UFDFN

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

710mOhm @ 400mA, 4.5V

Disipotencia (Max)

900mW (Ta)

Paquete de dispositivo para el proveedor

3-DFN (1.0 x 0.60)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

750nC @ 4.5V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

20V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

700mA (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

1.5V, 4.5V