AON6280

Parámetro del producto

---

serie

-

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

8-PowerSMD, Flat Leads

Vgs(th) (Max) @ Id

3.2V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1mOhm @ 20A, 10V

Disipotencia (Max)

7.3W (Ta), 83W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

8-DFN (5x6)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

80V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3930pF @ 40V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

17A (Ta), 85A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

6V, 10V