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AOSD62666E
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AOSD62666E

MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC

fabricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hoja de datos: AOSD62666E

precio:

USD $1.05

Stock: 3995 pcs

Parámetro del producto

serie
-
Tipo de FET
2 N-Channel (Dual)
embalaje
Cut Tape (CT)
característica
Logic Level Gate
Estatuto parcial
Active
La potencia - Max
2.5W (Ta)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete/caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Paquete de dispositivo para el proveedor
8-SOIC
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Drenar a tensión de fuente (Vdss)
60V
Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds
755pF @ 30V
Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C
9.5A (Ta)

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