AOW29S50

Parámetro del producto

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serie

aMOS™

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tube

Vgs (Max)

±30V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Not For New Designs

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14.5A, 10V

Disipotencia (Max)

357W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-262

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

26.6nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

500V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1312pF @ 100V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

29A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V