AOWF10N65

Parámetro del producto

---

serie

-

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tube

Vgs (Max)

±30V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 5A, 10V

Disipotencia (Max)

25W (Tc)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

650V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1645pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V