CZDM1003N BK

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

N-Channel

Vgs (Max)

20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

TO-261-4, TO-261AA

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 2A, 10V

Disipotencia (Max)

2W (Ta)

Paquete de dispositivo para el proveedor

SOT-223

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

100V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

975pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

3A (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V