MPQ6502

Parámetro del producto

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serie

-

embalaje

Tube

Estatuto parcial

Active

La potencia - Max

650mW

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Tipo del Transistor

2 NPN, 2 PNP

Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)

Frecuencia - la transición

200MHz

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-116

Saturvce (Max) @ Ib, Ic

1.4V @ 30mA, 300mA

Corriente - colector (Ic) (Max)

500mA

Corte de corriente - colector (Max)

30nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 300mA, 10V

Tensión - ruptura del colector del emisor (Max)

30V