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1N5408-G

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

fabricante: Comchip Technology

Hoja de datos: 1N5408-G

precio:

USD $0.4

Stock: 1042 pcs

Parámetro del producto

velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

serie

-

embalaje

Cut Tape (CT)

Tipo de diodo

Standard

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

DO-201AD, Axial

Número de Base

1N5408

Capacitancia @ Vr, F

-

Paquete de dispositivo para el proveedor

DO-27 (DO-201AD)

Corriente — fuga inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Tensión - marcha atrás de cc (Vr) (Max)

1000V

Corriente - promedio rectificado (Io)

3A

Temperatura de funcionamiento - Unión

-65°C ~ 125°C

Volta- adelante (Vf) (Max) @ If

950mV @ 3A

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