DGD2101MS8-13

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de puerta

IGBT, N-Channel MOSFET

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tipo de entrada

Non-Inverting

Estatuto parcial

Active

Tipo de canal

Independent

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Tensión - alimentación

10V ~ 20V

Número de conductores

2

Configuración accionada

High-Side or Low-Side

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 125°C (TA)

Tiempo de ascenso/caída (Typ)

70ns, 35ns

Paquete de dispositivo para el proveedor

8-SO

Tensión lógica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Alto voltalateral - Max (Bootstrap)

600V

Corriente — pico de salida (fuente, sumi)

290mA, 600mA