GA03JT12-247

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

-

embalaje

Tube

Vgs (Max)

-

tecnología

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-247-3

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

460mOhm @ 3A

Disipotencia (Max)

15W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-247AB

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

1200V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

3A (Tc) (95°C)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

-