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MBR200100CT

DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

fabricante: GeneSiC Semiconductor

Hoja de datos: MBR200100CT

precio:

USD $65.66

Stock: 52 pcs

Parámetro del producto

velocidad

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

serie

-

embalaje

Bulk

Tipo de diodo

Schottky

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete/caja

Twin Tower

Configuración de Diode

1 Pair Common Cathode

Paquete de dispositivo para el proveedor

Twin Tower

Corriente — fuga inversa @ Vr

5mA @ 20V

Tensión - marcha atrás de cc (Vr) (Max)

100V

Volta- adelante (Vf) (Max) @ If

840mV @ 100A

Corriente - media recti(Io) (por diodo)

200A (DC)

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