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MUR10005CT

DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER


fabricante: GeneSiC Semiconductor

Hoja de datos: MUR10005CT

precio:

USD $71.82

Stock: 28 pcs

Parámetro del producto

velocidad
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
serie
-
embalaje
Bulk
Tipo de diodo
Standard
Estatuto parcial
Active
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete/caja
Twin Tower
Configuración de Diode
1 Pair Common Cathode
Paquete de dispositivo para el proveedor
Twin Tower
Tiempo de recuperación inversa (TRR)
75ns
Corriente — fuga inversa @ Vr
25µA @ 50V
Tensión - marcha atrás de cc (Vr) (Max)
50V
Temperatura de funcionamiento - Unión
-55°C ~ 150°C
Volta- adelante (Vf) (Max) @ If
1.3V @ 50A
Corriente - media recti(Io) (por diodo)
100A (DC)

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