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MUR20005CT

DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER

fabricante: GeneSiC Semiconductor

Hoja de datos: MUR20005CT

precio:

USD $78.27

Stock: 19 pcs

Parámetro del producto

velocidad

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

serie

-

embalaje

Bulk

Tipo de diodo

Schottky

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete/caja

Twin Tower

Configuración de Diode

1 Pair Common Cathode

Paquete de dispositivo para el proveedor

Twin Tower

Tiempo de recuperación inversa (TRR)

75ns

Corriente — fuga inversa @ Vr

25µA @ 50V

Tensión - marcha atrás de cc (Vr) (Max)

50V

Temperatura de funcionamiento - Unión

-55°C ~ 150°C

Volta- adelante (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 100A

Corriente - media recti(Io) (por diodo)

200A (DC)

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