GP1M009A020FG

Parámetro del producto

---

serie

-

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tube

Vgs (Max)

±30V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-220-3 Full Pack

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 4.5A, 10V

Disipotencia (Max)

17.3W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-220F

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

200V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

414pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V