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GP1M009A090H
Las imágenes son sólo para referencia. Consulte especificaciones del producto para obtener detalles del producto
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GP1M009A090H

MOSFET N-CH 900V 9A TO220


fabricante: Global Power Technologies Group

Hoja de datos: GP1M009A090H

precio:

USD $0.87

Stock: 82 pcs

Parámetro del producto

serie
-
Tipo de FET
N-Channel
embalaje
Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)
±30V
tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
característica
-
Estatuto parcial
Obsolete
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete/caja
TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Disipotencia (Max)
290W (Tc)
Paquete de dispositivo para el proveedor
TO-220
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Drenar a tensión de fuente (Vdss)
900V
Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2324pF @ 25V
Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)
10V

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