GP1M009A090N

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tube

Vgs (Max)

±30V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-3P-3, SC-65-3

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 4.75A, 10V

Disipotencia (Max)

312W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-3PN

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

900V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2324pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

9.5A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V