GP1M023A050N

Parámetro del producto

---

serie

-

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tube

Vgs (Max)

±30V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-3P-3, SC-65-3

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 11.5A, 10V

Disipotencia (Max)

347W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-3PN

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

500V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3391pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

23A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V