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IX2120B

1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI

fabricante: IXYS Integrated Circuits Division

Hoja de datos: IX2120B

precio:

USD $2.85

Stock: 24 pcs

Parámetro del producto

serie

-

Tipo de puerta

IGBT, N-Channel MOSFET

embalaje

Tube

Tipo de entrada

Non-Inverting

Estatuto parcial

Active

Tipo de canal

Independent

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Tensión - alimentación

15V ~ 20V

Número de conductores

2

Configuración accionada

Half-Bridge

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tiempo de ascenso/caída (Typ)

9.4ns, 9.7ns

Paquete de dispositivo para el proveedor

28-SOIC

Tensión lógica - VIL, VIH

6V, 9.5V

Alto voltalateral - Max (Bootstrap)

1200V

Corriente — pico de salida (fuente, sumi)

2A, 2A

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