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IXDI602SIA

MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO

fabricante: IXYS Integrated Circuits Division

Hoja de datos: IXDI602SIA

precio:

USD $1.32

Stock: 750 pcs

Parámetro del producto

serie

-

Tipo de puerta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

embalaje

Tube

Tipo de entrada

Inverting

Estatuto parcial

Active

Tipo de canal

Independent

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Tensión - alimentación

4.5V ~ 35V

Número de conductores

2

Configuración accionada

Low-Side

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tiempo de ascenso/caída (Typ)

7.5ns, 6.5ns

Paquete de dispositivo para el proveedor

8-SOIC

Tensión lógica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corriente — pico de salida (fuente, sumi)

2A, 2A

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