IXDN602SITR

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de puerta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tipo de entrada

Non-Inverting

Estatuto parcial

Active

Tipo de canal

Independent

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Tensión - alimentación

4.5V ~ 35V

Número de conductores

2

Configuración accionada

Low-Side

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tiempo de ascenso/caída (Typ)

7.5ns, 6.5ns

Paquete de dispositivo para el proveedor

8-SOIC-EP

Tensión lógica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corriente — pico de salida (fuente, sumi)

2A, 2A