IXBK75N170A

Parámetro del producto

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serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

embalaje

Tube

Tipo de entrada

Standard

Puerta de carga

358nC

Estatuto parcial

Active

La potencia - Max

1040W

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-264-3, TO-264AA

Condición de prueba

1360V, 42A, 1Ohm, 15V

Número de Base

IXB*75N170

Cambio de energía

3.8mJ (off)

Td (on/off) @ 25°C

26ns/418ns

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-264

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 42A

Tiempo de recuperación inversa (TRR)

360ns

Corriente - colector (Ic) (Max)

110A

Corriente - colector pulsado (Icm)

300A

Tensión - ruptura del colector del emisor (Max)

1700V