IXBT42N170

Parámetro del producto

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serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

embalaje

Tube

Tipo de entrada

Standard

Puerta de carga

188nC

Estatuto parcial

Active

La potencia - Max

360W

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Condición de prueba

-

Número de Base

IXB*42N170

Cambio de energía

-

Td (on/off) @ 25°C

-

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-268

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 42A

Tiempo de recuperación inversa (TRR)

1.32µs

Corriente - colector (Ic) (Max)

80A

Corriente - colector pulsado (Icm)

300A

Tensión - ruptura del colector del emisor (Max)

1700V