IXBX75N170

Parámetro del producto

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serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

embalaje

Tube

Tipo de entrada

Standard

Puerta de carga

350nC

Estatuto parcial

Active

La potencia - Max

1040W

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-247-3

Condición de prueba

-

Número de Base

IXB*75N170

Cambio de energía

-

Td (on/off) @ 25°C

-

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paquete de dispositivo para el proveedor

PLUS247™-3

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 75A

Tiempo de recuperación inversa (TRR)

1.5µs

Corriente - colector (Ic) (Max)

200A

Corriente - colector pulsado (Icm)

580A

Tensión - ruptura del colector del emisor (Max)

1700V