IXFX100N65X2

Parámetro del producto

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serie

HiPerFET™

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tube

Vgs (Max)

±30V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-247-3

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 4mA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 50A, 10V

Disipotencia (Max)

1040W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

PLUS247™-3

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

650V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

11300pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V