MMIX1F180N25T

Parámetro del producto

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serie

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tube

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

24-PowerSMD, 21 Leads

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 90A, 10V

Disipotencia (Max)

570W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

24-SMPD

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

364nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

250V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

23800pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

132A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V