62-0203PBF

Parámetro del producto

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serie

HEXFET®

Tipo de FET

P-Channel

embalaje

Tube

Vgs (Max)

±8V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 16A, 4.5V

Disipotencia (Max)

2.5W (Ta)

Paquete de dispositivo para el proveedor

8-SO

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

91nC @ 4.5V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

12V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

8676pF @ 10V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

16A (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

1.8V, 4.5V