64-9146

Parámetro del producto

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serie

HEXFET®

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±12V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

DirectFET™ Isometric MT

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 15A, 10V

Disipotencia (Max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

DIRECTFET™ MT

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 4.5V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

20V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6580pF @ 10V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

32A (Ta), 180A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

4.5V, 10V