BSC900N20NS3GATMA1

Parámetro del producto

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serie

OptiMOS™

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

8-PowerTDFN

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 30µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 7.6A, 10V

Disipotencia (Max)

62.5W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

PG-TDSON-8

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

11.6nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

200V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 100V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

15.2A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V