FF23MR12W1M1B11BOMA1

Parámetro del producto

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serie

CoolSiC™+

Tipo de FET

2 N-Channel (Dual)

embalaje

Tray

característica

Silicon Carbide (SiC)

Estatuto parcial

Active

La potencia - Max

20mW

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete/caja

Module

Vgs(th) (Max) @ Id

5.55V @ 20mA

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 50A, 15V

Paquete de dispositivo para el proveedor

Module

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 15V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

1200V (1.2kV)

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3950pF @ 800V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

50A