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IPT111N20NFDATMA1
Las imágenes son sólo para referencia. Consulte especificaciones del producto para obtener detalles del producto
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IPT111N20NFDATMA1

MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8


fabricante: Infineon Technologies

Hoja de datos: IPT111N20NFDATMA1

precio:

USD $0.08

Stock: 15 pcs

Parámetro del producto

serie
OptiMOS™
Tipo de FET
N-Channel
embalaje
Digi-Reel®
Vgs (Max)
±20V
tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
característica
-
Estatuto parcial
Active
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete/caja
8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 267µA
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.1mOhm @ 96A, 10V
Disipotencia (Max)
375W (Tc)
Paquete de dispositivo para el proveedor
PG-HSOF-8-1
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Drenar a tensión de fuente (Vdss)
200V
Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds
7000pF @ 100V
Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)
10V

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