IR2101PBF

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de puerta

IGBT, N-Channel MOSFET

embalaje

Tube

Tipo de entrada

Non-Inverting

Estatuto parcial

Active

Tipo de canal

Independent

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Número de Base

IR2101PBF

Tensión - alimentación

10V ~ 20V

Número de conductores

2

Configuración accionada

Half-Bridge

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tiempo de ascenso/caída (Typ)

100ns, 50ns

Paquete de dispositivo para el proveedor

8-PDIP

Tensión lógica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Alto voltalateral - Max (Bootstrap)

600V

Corriente — pico de salida (fuente, sumi)

210mA, 360mA