IRF100B202

Parámetro del producto

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serie

HEXFET®, StrongIRFET™

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tube

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-220-3

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 58A, 10V

Disipotencia (Max)

221W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-220AB

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

116nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

100V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4476pF @ 50V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

97A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V