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IRF7101PBF
Las imágenes son sólo para referencia. Consulte especificaciones del producto para obtener detalles del producto
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IRF7101PBF

MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC


fabricante: Infineon Technologies

Hoja de datos: IRF7101PBF

precio:

USD $0.58

Stock: 16 pcs

Parámetro del producto

serie
HEXFET®
Tipo de FET
2 N-Channel (Dual)
embalaje
Tube
característica
Logic Level Gate
Estatuto parcial
Discontinued at Digi-Key
La potencia - Max
2W
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete/caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de Base
IRF7101PBF
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1.8A, 10V
Paquete de dispositivo para el proveedor
8-SO
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Drenar a tensión de fuente (Vdss)
20V
Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds
320pF @ 15V
Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C
3.5A

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