SPN02N60C3

Parámetro del producto

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serie

CoolMOS™

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

TO-261-4, TO-261AA

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 80µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 1.1A, 10V

Disipotencia (Max)

1.8W (Ta)

Paquete de dispositivo para el proveedor

PG-SOT223-4

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

650V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

400mA (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V