SPU11N10

Parámetro del producto

---

serie

SIPMOS®

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tube

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 21µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 7.8A, 10V

Disipotencia (Max)

50W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

P-TO251-3-1

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

18.3nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

100V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

10.5A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V