2SA1015-O-AP

Parámetro del producto

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serie

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Estatuto parcial

Obsolete

La potencia - Max

400mW

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Tipo del Transistor

PNP

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 125°C (TJ)

Frecuencia - la transición

80MHz

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-92

Saturvce (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Corriente - colector (Ic) (Max)

150mA

Corte de corriente - colector (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 6V

Tensión - ruptura del colector del emisor (Max)

50V