MJE13002B-AP

Parámetro del producto

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serie

-

Estatuto parcial

Obsolete

La potencia - Max

900mW

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Tipo del Transistor

NPN

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Frecuencia - la transición

5MHz

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-92

Saturvce (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 40mA, 200mA

Corriente - colector (Ic) (Max)

800mA

Corte de corriente - colector (Max)

100µA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

9 @ 200mA, 10V

Tensión - ruptura del colector del emisor (Max)

400V