APT65GP60B2G

Parámetro del producto

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serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

embalaje

Tube

Tipo de entrada

Standard

Puerta de carga

210nC

Estatuto parcial

Not For New Designs

La potencia - Max

833W

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-247-3 Variant

Condición de prueba

400V, 65A, 5Ohm, 15V

Cambio de energía

605µJ (on), 896µJ (off)

Td (on/off) @ 25°C

30ns/91ns

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 65A

Corriente - colector (Ic) (Max)

100A

Corriente - colector pulsado (Icm)

250A

Tensión - ruptura del colector del emisor (Max)

600V