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APTM100A12STG

MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W

fabricante: Microsemi Corporation

Hoja de datos: APTM100A12STG

precio:

USD $0.34

Stock: 59 pcs

Parámetro del producto

serie

-

Tipo de FET

2 N-Channel (Half Bridge)

embalaje

Bulk

característica

Standard

Estatuto parcial

Discontinued at Digi-Key

La potencia - Max

1250W

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete/caja

SP3

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 34A, 10V

Paquete de dispositivo para el proveedor

SP3

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

616nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

1000V (1kV)

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

17400pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

68A

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