PH3120L,115

Parámetro del producto

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serie

TrenchMOS™

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Digi-Reel®

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

SC-100, SOT-669

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65mOhm @ 25A, 10V

Disipotencia (Max)

62.5W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

LFPAK56, Power-SO8

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

48.5nC @ 4.5V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

20V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4457pF @ 10V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

100A (Tc)