BS170-D74Z

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Número de Base

BS170

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Disipotencia (Max)

830mW (Ta)

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-92-3

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

60V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

500mA (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V