FFSM0465A

Parámetro del producto

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velocidad

No Recovery Time > 500mA (Io)

serie

-

Tipo de diodo

Silicon Carbide Schottky

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

4-PowerTSFN

Capacitancia @ Vr, F

247pF @ 1V, 100kHz

Paquete de dispositivo para el proveedor

4-PQFN (8x8)

Tiempo de recuperación inversa (TRR)

0ns

Corriente — fuga inversa @ Vr

200µA @ 650V

Tensión - marcha atrás de cc (Vr) (Max)

650V

Corriente - promedio rectificado (Io)

4A

Temperatura de funcionamiento - Unión

-55°C ~ 175°C

Volta- adelante (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 4A