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IRLM120ATF
Las imágenes son sólo para referencia. Consulte especificaciones del producto para obtener detalles del producto
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IRLM120ATF

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223


fabricante: ON Semiconductor

Hoja de datos: IRLM120ATF

precio:

USD $0.24

Stock: 71 pcs

Parámetro del producto

serie
-
Tipo de FET
N-Channel
embalaje
Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)
±20V
tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
característica
-
Estatuto parcial
Not For New Designs
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete/caja
TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 1.15A, 5V
Disipotencia (Max)
2.7W (Tc)
Paquete de dispositivo para el proveedor
SOT-223-4
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 5V
Drenar a tensión de fuente (Vdss)
100V
Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 25V
Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)
5V

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