KSD1020GBU

Parámetro del producto

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serie

-

embalaje

Bulk

Estatuto parcial

Obsolete

La potencia - Max

350mW

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Tipo del Transistor

NPN

Número de Base

KSD1020

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Frecuencia - la transición

170MHz

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-92S

Saturvce (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 70mA, 700mA

Corriente - colector (Ic) (Max)

700mA

Corte de corriente - colector (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 1V

Tensión - ruptura del colector del emisor (Max)

25V