2SK0615

Parámetro del producto

---

serie

-

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Bulk

Vgs (Max)

20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

3-SIP

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 500mA, 10V

Disipotencia (Max)

1W (Ta)

Paquete de dispositivo para el proveedor

M-A1

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

80V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 10V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

500mA (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V