MTM131270BBF

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

P-Channel

embalaje

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±10V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 1mA

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 1A, 4V

Disipotencia (Max)

700mW (Ta)

Paquete de dispositivo para el proveedor

Mini3-G3-B

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

20V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 10V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

2A (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

1.8 V, 4V