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BS2100F-E2
Las imágenes son sólo para referencia. Consulte especificaciones del producto para obtener detalles del producto
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BS2100F-E2

IC DVR IGBT/MOSFET


fabricante: ROHM Semiconductor

Hoja de datos: BS2100F-E2

precio:

USD $0.77

Stock: 49 pcs

Parámetro del producto

serie
-
Tipo de puerta
N-Channel MOSFET
embalaje
Digi-Reel®
Tipo de entrada
Non-Inverting
Estatuto parcial
Discontinued at Digi-Key
Tipo de canal
Independent
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete/caja
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Tensión - alimentación
10V ~ 18V
Número de conductores
2
Configuración accionada
Half-Bridge
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tiempo de ascenso/caída (Typ)
200ns, 100ns
Paquete de dispositivo para el proveedor
8-SOP
Tensión lógica - VIL, VIH
1V, 2.6V
Alto voltalateral - Max (Bootstrap)
600V
Corriente — pico de salida (fuente, sumi)
60mA, 130mA

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