BSM180D12P3C007

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

2 N-Channel (Dual)

embalaje

Bulk

característica

Silicon Carbide (SiC)

Estatuto parcial

Active

La potencia - Max

880W

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

Module

Vgs(th) (Max) @ Id

5.6V @ 50mA

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Paquete de dispositivo para el proveedor

Module

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

-

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

1200V (1.2kV)

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

180A (Tc)